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InGaAs点元探测器LD-GAP500 三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分,可以使光电探测器的响应度在终用户所要求的波长条件下达到大值,从而提高信噪比。
InGaAs点元探测器三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分,可以使光电探测器的响应度在终用户所要求的波长条件下达到大值,从而提高信噪比。
刘丹
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